Typy detektorů infračerveného záření
Mezi detektory infračerveného záření patří:
Standardní InGaAs fotodiody mají spektrální odezvu v intervalu 0,9 až 1,7 µm. Krátkovlnné InGaAs detektory pokrývají oblast již od 0,5 µm. Naproti tomu dlouhovlnné verze mohou jít až k 2,6 µm.
Vysokorychlostní InGaAs lavinové fotodiody firmy Hamamatsu umožňují detekci slabých signálů v infračervené spektrální oblasti od 950 do 1700 nm.
InGaAs fotodiodová pole se skládají z několika InGaAs fotodiod, které jsou uspořádány buď do řádkového senzoru nebo do dvoudimenzionální matice.
Pro fotovoltaické InAs detektory firmy Hamamatsu je typická vysoká rychlost v kombinaci s nízkým šumem. Jsou schopné detekovat infračervené záření až do cca 3,5 µm.
Fotovoltaické InAsSb detektory firmy Hamamatsu se díky unikátní technologii růstu krystalů vyznačují širokým spektrálním pásem s vysokou citlivostí (šířka pásu 5, 8 a 10 µm).
Termoelektricky chlazené fotovodivostní InSb detektory se vyznačují vysokou rychlostí a citlivostí. Jsou schopné detekovat infračervené záření až do více jak 6 µm.
Mezi typické vlastnosti fotovoltaických InSb detektorů patří vysoká rychlost a nízký šum. Poskytují vysokou citlivost v oblasti mezi 3 a 5 µm. K jejich chlazení se používá kapalný dusík.
Dvoubarevné detektory obsahují dva různé fotosenzory, přičemž jeden sensor je namontovaný přes druhý podél stejné optické osy. Každý z nich je citlivý na jinou spektrální oblast a celá součástka tak dokáže detekovat široké spektrum záření.
- HgCdTe detektory (MCT = Mercury Cadmium Telluride senzory)
Detekční moduly
Tyto moduly integrují do jednoho pouzdra detektor infračerveného záření a předzesilovač. Pro měření velmi slabých signálů slouží verze s termoelektrickým chlazením nebo chlazením pomocí kapalného dusíku.
Model
|
Detektor
|
Horní limit citlivosti
|
Chlazení
|
C12483-250
|
InGaAs
|
1,66 μm
|
termoelektrické
|
C12485-210
|
InGaAs
|
2,05 μm
|
termoelektrické
|
C12486-210
|
InGaAs
|
2,56 μm
|
termoelektrické
|
C12492-210
|
InAs
|
3,45 μm
|
termoelektrické
|
C12494-210M
|
InAsSb
|
8,3 μm
|
termoelektrické
|
C12494-210S
|
InAsSb
|
5,9 μm
|
termoelektrické
|
G6121
|
InGaAs
|
1,7 μm
|
bez chlazení
|
G7754-01
|
InGaAs
|
2,4 μm
|
kapalný dusík
|
G7754-03
|
InGaAs
|
2,4 μm
|
kapalný dusík
|
P4631-03
|
InSb
|
6,1 μm
|
termoelektrické
|
P7751-01
|
InSb
|
5,5 μm
|
kapalný dusík
|
P7751-02
|
InSb
|
5,5 μm
|
kapalný dusík
|