Detektory infračerveného záření

Pro infračervenou oblast se používají detektory na bázi binárních (InAs, InSb, …) a ternárních (InGaAs, InAsSb, …) sloučenin. Firma Hamamatsu nabízí celou řadu detektorů infračerveného záření, které jsou výhodné pro velké množství vědeckých a průmyslových aplikací.

Rozlišujeme dvě hlavní podskupiny detektorů infračerveného záření:

  • Samostatné detektory (OEM prvky)
  • Detekční moduly integrující detektor a předzesilovač do jednoho pouzdra

Klíčové vlastnosti

  • Široký výběr (rozdílné IR detektory a detekční moduly)
  • Možnost chlazení (TE, kapalný dusík)
  • Dlouhá životnost
  • Nízký vnitřní šum
  • Široká spektrální odezva
Miroslav Kořínek
Odborný poradce

RNDr. Miroslav Kořínek Ph.D.

+420 720 994 252

korinek@optixs.cz

Zaslat poptávku

OptiXs care

  • Odborně zkonzultujeme vaši plánovanou aplikaci
  • Náš tým je schopen produkt integrovat i do většího systému
  • Zajistíme rychlé dodání náhradních dílů a lokální servis
S čím dalším můžeme pomoci

Parametry

Typy detektorů infračerveného záření

Mezi detektory infračerveného záření patří:

Standardní InGaAs fotodiody mají spektrální odezvu v intervalu 0,9 až 1,7 µm. Krátkovlnné InGaAs detektory pokrývají oblast již od 0,5 µm. Naproti tomu dlouhovlnné verze mohou jít až k 2,6 µm. 

Vysokorychlostní InGaAs lavinové fotodiody firmy Hamamatsu umožňují detekci slabých signálů v infračervené spektrální oblasti od 950 do 1700 nm. 

InGaAs fotodiodová pole se skládají z několika InGaAs fotodiod, které jsou uspořádány buď do řádkového senzoru nebo do dvoudimenzionální matice.

Pro fotovoltaické InAs detektory firmy Hamamatsu je typická vysoká rychlost v kombinaci s nízkým šumem. Jsou schopné detekovat infračervené záření až do cca 3,5 µm.

Fotovoltaické InAsSb detektory firmy Hamamatsu se díky unikátní technologii růstu krystalů vyznačují širokým spektrálním pásem s vysokou citlivostí (šířka pásu 5, 8 a 10 µm).

Termoelektricky chlazené fotovodivostní InSb detektory se vyznačují vysokou rychlostí a citlivostí. Jsou schopné detekovat infračervené záření až do více jak 6 µm.

Mezi typické vlastnosti fotovoltaických InSb detektorů patří vysoká rychlost a nízký šum. Poskytují vysokou citlivost v oblasti mezi 3 a 5 µm. K jejich chlazení se používá kapalný dusík.

Dvoubarevné detektory obsahují dva různé fotosenzory, přičemž jeden sensor je namontovaný přes druhý podél stejné optické osy. Každý z nich je citlivý na jinou spektrální oblast a celá součástka tak dokáže detekovat široké spektrum záření.

  • HgCdTe detektory (MCT = Mercury Cadmium Telluride senzory)

Detekční moduly

Tyto moduly integrují do jednoho pouzdra detektor infračerveného záření a předzesilovač. Pro měření velmi slabých signálů slouží verze s termoelektrickým chlazením nebo chlazením pomocí kapalného dusíku.

Model

Detektor

Horní limit citlivosti

Chlazení

C12483-250

InGaAs 

1,66 μm

termoelektrické

C12485-210

InGaAs 

2,05 μm

termoelektrické

C12486-210

InGaAs 

2,56 μm

termoelektrické

C12492-210

InAs 

3,45 μm

termoelektrické

C12494-210M

InAsSb 

8,3 μm

termoelektrické

C12494-210S

InAsSb 

5,9 μm

termoelektrické

G6121

InGaAs 

1,7 μm

bez chlazení

G7754-01

InGaAs 

2,4 μm

kapalný dusík

G7754-03

InGaAs 

2,4 μm

kapalný dusík

P4631-03

InSb 

6,1 μm

termoelektrické

P7751-01

InSb 

5,5 μm

kapalný dusík

P7751-02

InSb 

5,5 μm

kapalný dusík

Dokumenty

IR detektory - Katalog

Poptat produkt

Máte zájem o produkt? Zašlete nám své požadavky skrze poptávkový formulář nebo využijte přímý kontakt na odborného poradce. Rádi zodpovíme vaše dotazy a navrhneme řešení dle vašich potřeb.

Odborný poradce

Miroslav Kořínek

RNDr. Miroslav Kořínek Ph.D.