MeasureReady FastHall Station

Kompletní měřicí systém pro měření Hallova jevu založený na M91 MeasureReady FastHall kontroleru. Systém zahrnuje PC se softwarem, permanentní 1T magnet a držák vzorků. Systém je vhodný pro vzorky s odporem až 1 GΩ, což odpovídá mobilitě nosiče náboje 0,01 cm2/V.

  • Kompaktní řešení pro měření Hallova jevu
  • Měření vzorků s nízkou mobilitou náboje (až 0,01 cm2/V)
  • Rozsah odporů až 10 mΩ - 1 GΩ
  • Vysoká rychlost měření
  • Možné rozšíření: vzorková komora chlazená kapalným dusíkem

OptiXs care

  • Odborně zkonzultujeme vaši plánovanou aplikaci
  • Náš tým je schopen produkt integrovat i do většího systému
  • Zajistíme rychlé dodání náhradních dílů a lokální servis
S čím dalším můžeme pomoci

Parametry

Možnosti měření Metoda FastHall*, van der Pauw, Hall bar
Odvozené veličiny Hallův koeficient, Hallova mobilita, rezistivita, koncentrace nosičů náboje
Držák vzorku Deska pro pájení (10 mm x 10 mm x 3 mm) nebo deska s piny (10 mm x 10 mm x 2 mm)
Magnetické pole DC, 1 T (RT), 0,8 T (s kryo komorou)
Rozsah odporu 10 mΩ až 1 GΩ
Rozsah Hallovy mobility 0,01 až 106 cm2/V s
Rychlost měření < 10 s (typicky)
Rozhranní USB, ethernet

* patentovaná metoda firmy Lake Shore Cryotronics bez nutnosti měnit polaritu magnetického pole během měření

Aplikace

  • Solární články - OPV, a:Si, µc-Si, CdTe, CuInGaSe (CIGS)
  • Organická elektronika - OTFT, Pentacene, Chalcogenides, OLED
  • Transparentní vodivé oxidy- InSnO (ITO), ZnO, GaZnO, InGaZnO (IGZO)
  • III-V polovodiče - InP, InSb, InAs, GaN, GaP, GaSb, AIN based devices, high electron mobility transistors (HEMTs) and heterojunction bipolar transistors
  • II-VI polovodiče - CdS, CdSe, ZnS, ZnSe, ZnTe, HgCdTe
  • Základní polovodiče - Ge, Si on insulator devices (SOI), SiC, doped diamond SiGe based devices: HBTs and FETs
  • DMS (Dilute magnetic semiconductor) - GaMnAs, MnZnO
  • Half-Heusler sloučeniny - TiNiSn, ZrNiSn, GdPtBi
  • Topologické polokovy - TaAs, WTe2, MoTe2
  • Topologické izolátory - Bi2Te3, Bi2Se3, Sb2Te3
  • TMDC (Transition-metal Di-chalcogenides) - WS2, WSe2, MoS2, HfS2
  • Další 2D materiály - BN, graphene structures
  • Vysokoteplotní supravodiče

Poptat produkt

Máte zájem o produkt? Zašlete nám své požadavky skrze poptávkový formulář nebo využijte přímý kontakt na odborného poradce. Rádi zodpovíme vaše dotazy a navrhneme řešení dle vašich potřeb.

Přímý kontakt