MeasureReady M91

Kontrolér pro měření Hallova jevu založený na patentované technologii FastHall firmy Lake Shore. Díky technologii FastHall odpadá nutnost použití reverzního magnetického pole, což výrazně zvyšuje rychlost měření. Jedná se o ekonomickou variantu pro vytvoření vlastní sestavy nebo vylepšení stávající sestavy pro měření Hallova jevu a souvisejících veličin.

  • Kompletní analýza Hallova jevu pro van der Pauw a Hall bar vzorky
  • Patentovaná metoda měření FastHall bez nutnost použití reverzního magnetického pole
  • Měření vzorků s nízkou mobilitou nosičů náboje (až 0,01 cm2/V)
  • Rozsah odporů 10 mΩ až 10 MΩ, možnost rozšíření do 200 GΩ
  • Vysoká rychlost a přesnost měření
  • Automatická optimalizace excitačních hodnot a měřících rozsahů

OptiXs care

  • Odborně zkonzultujeme vaši plánovanou aplikaci
  • Náš tým je schopen produkt integrovat i do většího systému
  • Zajistíme rychlé dodání náhradních dílů a lokální servis
S čím dalším můžeme pomoci

Parametry

Možnosti měření Metoda FastHall* - van der Pauw vzorky
Tradiční metoda - van der Pauw a Hall bar vzorky
Odvozené veličiny Hallův koeficient, Hallova mobilita, rezistivita, koncentrace nosičů náboje
Rozsah odporu 10 mΩ to 10 MΩ (200 GΩ)
Rozsah Hallovy mobility 0,01 až 106 cm2/V s
Rozhranní USB 3.0, USB 2.0 (emulace RS 232), ethernet, WiFi, WPAN

* patentovaná metoda firmy Lake Shore Cryotronics bez nutnosti měnit polaritu magnetického pole během měření

Aplikace

  • Solární články - OPV, a:Si, µc-Si, CdTe, CuInGaSe (CIGS)
  • Organická elektronika - OTFT, Pentacene, Chalcogenides, OLED
  • Transparentní vodivé oxidy- InSnO (ITO), ZnO, GaZnO, InGaZnO (IGZO)
  • III-V polovodiče - InP, InSb, InAs, GaN, GaP, GaSb, AIN based devices, high electron mobility transistors (HEMTs) and heterojunction bipolar transistors
  • II-VI polovodiče - CdS, CdSe, ZnS, ZnSe, ZnTe, HgCdTe
  • Základní polovodiče - Ge, Si on insulator devices (SOI), SiC, doped diamond SiGe based devices: HBTs and FETs
  • DMS (Dilute magnetic semiconductor) - GaMnAs, MnZnO
  • Half-Heusler sloučeniny - TiNiSn, ZrNiSn, GdPtBi
  • Topologické polokovy - TaAs, WTe2, MoTe2
  • Topologické izolátory - Bi2Te3, Bi2Se3, Sb2Te3
  • TMDC (Transition-metal Di-chalcogenides) - WS2, WSe2, MoS2, HfS2
  • Další 2D materiály - BN, graphene structures
  • Vysokoteplotní supravodiče

Dokumenty

fasthall-stationa4

Poptat produkt

Máte zájem o produkt? Zašlete nám své požadavky skrze poptávkový formulář nebo využijte přímý kontakt na odborného poradce. Rádi zodpovíme vaše dotazy a navrhneme řešení dle vašich potřeb.

Přímý kontakt