- Optixs
- Produkty
- Kryogenní a magnetické systémy
- Měření Hallova jevu
- MeasureReady M91
MeasureReady M91
VÝROBCE: | Lake Shore | KATEGORIE: |
Kontrolér pro měření Hallova jevu založený na patentované technologii FastHall firmy Lake Shore. Díky technologii FastHall odpadá nutnost použití reverzního magnetického pole, což výrazně zvyšuje rychlost měření. Jedná se o ekonomickou variantu pro vytvoření vlastní sestavy nebo vylepšení stávající sestavy pro měření Hallova jevu a souvisejících veličin.
- Kompletní analýza Hallova jevu pro van der Pauw a Hall bar vzorky
- Patentovaná metoda měření FastHall bez nutnost použití reverzního magnetického pole
- Měření vzorků s nízkou mobilitou nosičů náboje (až 0,01 cm2/V)
- Rozsah odporů 10 mΩ až 10 MΩ, možnost rozšíření do 200 GΩ
- Vysoká rychlost a přesnost měření
- Automatická optimalizace excitačních hodnot a měřících rozsahů
Máte zájem o MeasureReady M91
Potřebujete radu?
Parametry
Možnosti měření | Metoda FastHall* - van der Pauw vzorky Tradiční metoda - van der Pauw a Hall bar vzorky |
Odvozené veličiny | Hallův koeficient, Hallova mobilita, rezistivita, koncentrace nosičů náboje |
Rozsah odporu | 10 mΩ to 10 MΩ (200 GΩ) |
Rozsah Hallovy mobility | 0,01 až 106 cm2/V s |
Rozhranní | USB 3.0, USB 2.0 (emulace RS 232), ethernet, WiFi, WPAN |
* patentovaná metoda firmy Lake Shore Cryotronics bez nutnosti měnit polaritu magnetického pole během měření
Aplikace
- Solární články - OPV, a:Si, µc-Si, CdTe, CuInGaSe (CIGS)
- Organická elektronika - OTFT, Pentacene, Chalcogenides, OLED
- Transparentní vodivé oxidy- InSnO (ITO), ZnO, GaZnO, InGaZnO (IGZO)
- III-V polovodiče - InP, InSb, InAs, GaN, GaP, GaSb, AIN based devices, high electron mobility transistors (HEMTs) and heterojunction bipolar transistors
- II-VI polovodiče - CdS, CdSe, ZnS, ZnSe, ZnTe, HgCdTe
- Základní polovodiče - Ge, Si on insulator devices (SOI), SiC, doped diamond SiGe based devices: HBTs and FETs
- DMS (Dilute magnetic semiconductor) - GaMnAs, MnZnO
- Half-Heusler sloučeniny - TiNiSn, ZrNiSn, GdPtBi
- Topologické polokovy - TaAs, WTe2, MoTe2
- Topologické izolátory - Bi2Te3, Bi2Se3, Sb2Te3
- TMDC (Transition-metal Di-chalcogenides) - WS2, WSe2, MoS2, HfS2
- Další 2D materiály - BN, graphene structures
- Vysokoteplotní supravodiče
Dokumenty
pdf